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22×40mm~2薄片硅探测器
【摘要】 用气泡腐蚀法制备有效面积为22×40mm~2、厚度在50～100μm 之间的硅薄片,成功率按近100%。用该薄片制出的Au—Si 面垒探测器,在全耗尽工作电压下,能量分辨为70.8KeV。
- 【文献出处】 核物理动态 ,Nuclear Physics Review , 编辑部邮箱 ,1990年01期
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【摘要】 用气泡腐蚀法制备有效面积为22×40mm~2、厚度在50～100μm 之间的硅薄片,成功率按近100%。用该薄片制出的Au—Si 面垒探测器,在全耗尽工作电压下,能量分辨为70.8KeV。