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非晶硅中氟的浓度分布

Concentration depth profiling of fluorine in amorphous-silicon

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【作者】 钱景华; 邵其鋆; 张钰蓉; 吴小凤; 张阿根; 张龙兴;

【Author】 Qian Jinghua Shao Qiyun Zhang Yurong Wu Xiaofeng Zhang Agen Zhang Longxing(Fudon University)

【机构】 上海教育学院; 复旦大学; 复旦大学;

【摘要】 本文用尖锐共振核反应法测定氟在非晶硅中的深度分布,为检验退卷积方法的适用范围,对能级宽度在1keV以下和1keV以上两种情况,对同一样品进行了测量。结果表明:在1keV以下退卷积方法仍可适用。

【Abstract】 The concentration depth profile of fluorine has been measured with narrow reson-ances of nuclear reactions. In order to find the applicable range of the deconvolution method two kinds of level-widtn with T>1 keV or T<lkeV have been measured for the same sample. The results indicate that the method is still applicable to the level-width below 1 keV.

【关键词】 氟; 非晶硅; 深度分布;
【Key words】 Fluorine Amorpnous-silicon Depth profile;
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