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X波段GaAs单片压控振荡器

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【作者】 梁波； 林金庭； 夏先齐； 王福臣； 杨玉昌；

【机构】 南京电子器件研究所； 南京电子器件研究所；

【摘要】 <正>本工作的GaAs单片压控振荡器其振荡电路选择了GaAs场效应管作为有源器件,平面肖特基势垒变容二极管(Planar Schottkey Varactor Diode,简称PSVD)作为调谐元件.这种变容管的最大特点是它的工艺与GaAs FET的工艺相容,设计也比较灵活,改变阳极指的长度和宽度就能改变电容比和电容量.但是在有源层临近夹断时,其串联电阻迅速变大,

【关键词】 压控振荡器； X波段GaAs； 容管； 肖特基势垒； 变容二极管； 有源层； 有源器件； 串联电阻； 电容量； 振荡电路；
  • 【文献出处】 固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of Solid State Electronics , 编辑部邮箱 ,1990年04期
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