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快速热退火铝合金降低硅p~+-n结的漏电流
Decrease of the Leakage Current in the Silicon p~+-n Junction by Rapidly Thermal Annealing Al Alloy
【摘要】 快速热退火铝合金工艺可以明显改善硼扩硅P~+-n结的漏电流.X射线衍射实验表明,铝原子补偿了硼原子在硅片中造成的应变,改善了晶体的完整性.
【Abstract】 This paper describes a technique of the rapidly thermal annealing Al alloy to decrease the leakage current in B-diffused silicon p+-n junction. X-ray diffraction experiment shows that Al atoms can compensate the strains in the silicon wafers produced by B diffusion and improve the crystalline perfection.
【基金】 国家自然科学基金委员会;上海市科委的资助
- 【文献出处】 固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of Solid State Electronics , 编辑部邮箱 ,1990年04期
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