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用PECVD法制备非晶态GaP薄膜

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【机构】南京电子器件研究所；南京电子器件研究所；北京大学微电子学研究所；北京大学物理系合肥低温电子研究所；

【摘要】 <正>非晶态半导体材料是一种新型的电子材料,由于它具有特殊的物理性质,使非晶态半导体研究成为较热门的课题之一.对氢化非晶硅(α-Si:H),非晶锗(α-Ge)及非晶态硫系材料的研究已进入较深入的阶段,并应用于器件制作.但对非晶态Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,由于其结构无序和化学无序同时存在,给研究工作带来很大困难,对它们的研究仅限于物理性质的探索.更多还原

【关键词】 PECVD； GaP；结构无序；非晶态结构；薄膜光学；氢化非晶硅；薄膜样品；衬底温度；光学特性；器件制作；

【文献出处】固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of Solid State Electronics , 编辑部邮箱 ,1990年01期

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