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SOI材料的场助键合技术
【摘要】 本文报道了SOI(Semiconductor On Insulator)材料的场助键合技术,其中包括SiO2—SiO)2、Si-SiO2、Si—石英、GaAS—玻璃等的键合.利用各种检测手段对键合材料的键合面积、键合强度、界面形貌及电学特性进行了测试,文中还讨论了场助键合机理、等离子体表面处理方法及场助键合村料的应用实例.结果表明,场助键合技术是一种有很大潜力的技术.
【基金】 国家自然科学基金资助课题
- 【文献出处】 电子器件 ,Journal of Electron Devices , 编辑部邮箱 ,1990年04期
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