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多晶硅高温压力传感器

The High Temperature Polysilicon Pressure Sensor

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【作者】 刘晓为张国威刘振茂郭青高家昌范茂军段治安崔光浩

【Author】 Liu Xiaowei Zhang Guowei Liu Zhenmao Guo Qing (Harbin Institute of Technology) Gao Jiachang (Harbin Transistor Factory) Fan Maojun Duan zhian Cui Guanghao (The 49th Research Institute,Ministry of Machine-Building & Electronics Industry)

【机构】 哈尔滨工业大学哈尔滨晶体管厂机电部第49研究所机电部第49研究所

【摘要】 <正> 一、前言 现代航空、汽车发动机以及石油化工领域常常需要对200℃以上高温范围的压力进行检测。200℃以上温度工作的高温压力传感器一般可采用SOS或绝缘衬底上多晶硅结构制作,因为多晶硅薄膜压阻元件可淀积在各种低成本衬底上,而且工艺简

  • 【文献出处】 传感器技术 ,Journal of Transducer Technology , 编辑部邮箱 ,1990年05期
  • 【被引频次】7
  • 【下载频次】97
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