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氩离子在反应离子腐蚀Ⅲ-Ⅴ族材料中的作用

Behaviour of Ar~+ Ion in Reactive Ion Etching of Ⅲ-Ⅴ Compound

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【作者】 李建中;

【Author】 Li Jianzhong/Institute of Semiconductors, Academia Sinica.Beijing

【机构】 中国科学院半导体研究所 北京;

【摘要】 本文以一些实例和所得到的结果来说明Ar~+离子在抑制晶向腐蚀作用、调节钝化阻挡层,以及清除微粒淀积物等方面的作用。

【Abstract】 Experiments and results are shown in this paper to illustrate the role of Ar~+ ion inrestraining of orientation etching, adjusting of inhioition layer growing and clearing of micro-depositionon etching surfaces.

  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1990年12期
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