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静压下GaAs1-xPx混晶的喇曼散射

Raman Scattering of GaAs1-xPx Mixed Crystals under Hydrostatic Pressure

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【作者】 李国华; 韩和相; 汪兆平; 糜东林; 郑健生;

【Author】 Li Guohua/Institute of Semiconductors,Academia SinicaHan Hexiang/Institute of Semiconductors,Academia SinicaWang Zhaoping/Institute of Semiconductors,Academia SinicaMi Donglin/Department of Physics. Xiamen UniversityZheng Jiansheng/Department of Physics. Xiamen University

【机构】 中国科学院半导体研究所; 厦门大学物理系; 厦门大学物理系 北京; 北京; 北京;

【摘要】 在77K下和0—60kbar静压范围内测量了GaAs1-xPx(0.76 ≤x≤1)混晶的喇曼散射谱。得到了这些混晶的类GaP的LO模的压力系数。发现在所研究的x范围内GaAs1-xPx混晶的类GaP的LO模的压力行为与Gap的LO模基本相同。利用测得的压力系数计算了类GaP的LO模的模式Gruneisen参数。

【Abstract】 The Raman scattering spectra of GaAs1-xPx (0.76≤x≤)mixed crystals have been measuredunder hydrostatic pressure ranging from 0 to 70 kbar at 77 K. The pressure coefficientsof GaP-like LO modes of GaAs1-x Px mixed crystals is obtaind.It is found that the pressurebehaviour of GaP-like LO modes of GaAs1-xPx mixed crystals is similar to that of LO modeof GaP crystal. The mode-Gruneisen parameters of GaP-like LO modes of GaAs1-xPx mixedcrystals have been calculated from the measured pressure coefficients.

【关键词】 压力; 喇曼散射; 混晶; GaAsP;
【Key words】 Raman scattering; Pressure; Mixed crystal; GaAsP;
【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1990年09期
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