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用SF6-N2混合气的反应离子刻蚀制作WSix微米结构
Fabrication of WSix Micron Structures Using RIE in SF6-N2 Mixture
【摘要】 本文报道了ESix在SF6-Ar、SF6-N2混合气中的反应离子刻蚀（RIE）的实验结果。研究了在SF6-N2的混合气中刻蚀WSix时,气体成分、气体流量、工作气压和输入功率对刻蚀速率的影响。发现在SF6/N2中刻蚀WSix微米结构具有优越性。实验结果的重复性较好,并在高速场效应器件、光电集成器件（微米结构）制作中得到应用。
【Abstract】 This paper reports experiments on reactive ion etching of WSix using SF6-Ar and SF6-N2as etchants.Etching characteristics are well studied with SF6-N2 system. N2 is found to besuperior as a diluent of SF6 in etching micrometen structures of WSix, and having good repeatability.GaAs MESFET and OEIC devices have been fabricated with the etching.
【关键词】 SF6-N2混合气；
反应离子刻蚀；
WSi_x微米结构；
【Key words】 SF6-N2； mixture； reactive ion etching； micron structures of WSi?；
【Key words】 SF6-N2； mixture； reactive ion etching； micron structures of WSi?；
- 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1990年05期
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