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掺铁半绝缘磷化铟的深能级研究

Investigation of Deep Level in lron Doped Semi-Insulating InP

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【Author】 Peng Chen/Department of Physics Fudan University, Shanghai, ChinaLi Jianlin/Department of Physics Fudan University, Shanghai, ChinaLu Jun/Department of Physics Fudan University, Shanghai, ChinaSun Henghui/Department of Physics Fudan University, Shanghai, China

【机构】复旦大学物理系；复旦大学物理系上海；上海上海交通大学应用物理系；上海上海无线电十七厂；上海；

【摘要】文章简要地叙述了光激电流瞬态谱(PICTS)及恒流光电导(CCPC)设备的建立过程及测量方法。并首次用二种方法结合起来以研究掺铁半绝缘磷化铟(InP)中深能级的热电离能,载流子的发射与俘获特性,杂质波函数的局域程度及电子与晶格之间的相互作用。并给出了铁能级在禁带中的确切能量位置。更多还原

【Abstract】 The constant current photo-conductivity（CCPC） was used in combining with the photoinducedcurrent transcient spectroscopy （PICTS） to study the deep level in iron doped semiinsulatingInP. The information on the characteristics of carrier emission and capture process,the localization of deep level wave function as well as the parameter of interaction between electronand phonon are given.The accurate energy level of Fe²⁺ is given according to theco（?）figuration coordinate diagram.更多还原

【关键词】半绝缘磷化铟；深能级；光电离截面谱；电子-声子相互作用；
【Key words】 Semi-Insulating InP； Deep leve； Spectral distribution of photo ionization cross sections； Electron-phonon interaction；

【文献出处】半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1990年03期

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