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Si,As双注入GaAs的RTA研究  
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【英文篇名】 RTA Study of Si,As Dual-Implantation into GaAs
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【作者】 朱德华; 李国辉; 张通和; 王玉琦; 孙贵如;
【英文作者】 ZHU Dehua/Institute of Low Energy Nuclear Physics; Beijing Normal UniversityLI Guohui/Institute of Low Energy Nuclear Physics; Beijing Normal UniversityZHANG Tonghe/Institute of Low Energy Nuclear Physics; Beijing Normal UniversityWANG Yuqi/Institute of Low Energy Nuclear Physics; Beijing Normal UniversitySUN Guiru/General Institute of Nonferrous Metal; Beijing;
【作者单位】 北京师范大学低能核物理所; 冶金部有色金属研究总院 北京;
【文献出处】 半导体学报 , Chinese Journal of Semiconductors, 编辑部邮箱 1990年 02期  
期刊荣誉：ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【中文关键词】 Si; As双注入GaAs快速退火;
【英文关键词】 GaAs; Si As dual-implantation; Rapid themal annealing;
【摘要】 本文研究了Si注入GaAs的快速退火(RTA)特性。得出930—950℃退火5s为最佳退火条件。测量结果表明,当注入剂量大于10~(13)cm~(-2)时,电子浓度呈饱和现象。为提高电子浓度本文提出Si,As双注入GaAs的方法,研究了(60—80)keV,(5—10)×10~(14)Si/cm~2+(150—180)keV,(5—30)×10~(14)As/cm~2注入并经RTA后的电特性。结果表明,双注入后样品中电子浓度有明显提高,对80keV,10~(15)Si/cm~2+150keV,3×10~(15)As/cm~2来说,电子浓度大于10~(19)cm~(-3)。TEM观察表明,双注入样品的剩余缺陷密度大大低于单注入的情况。本文并对双注入补偿机理进行了讨论。
【英文摘要】 Rapid themal annealing (RTA) of Si-implantation into GaAs is studied.The optimalcondition is annealing at temperatures ranging from 930℃ to 960℃ for 5s in dry N_2. Electron concentration of the Si, As dual-implantation GaAs is increased considerably. Themaximum concentration of 3×10~(19)cm~(-3) was obtained in specimens implanted with 80keV Siand 150 keV As. The implantation doses for Si and AS were 1×10~(15)cm~(-2)and 3×10~(15)cm~(-2), respectively.TEM reveals that the removal of lattice damage of Si, As d...
【正文快照】 健1一牙一、7月曰 目前在GaA。器件中n型层的制作一般采用Si离子注人.快速退火具有高效率、杂质扩散少,无需包封或加As压保护退火等优点.因此RTA逐渐成为制作GaA:Ic的重要工艺田.51注人GaA,的RTA特性已发表许多文章。一习.对低剂量51(4一10)x10tZcm一,注人而言,其电激活率大于5

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