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CVD技术在扩散型多晶硅压阻力敏感高温传感器制造中的应用
【摘要】 <正> 采用pn结隔离技术制作的硅单晶压阻力敏传感器,因工作温度范围为-40～+80℃,使其在一些特殊高温环境(汽车电子、采油业等)中的应用受到限制。采用介质隔离的蓝宝石力敏传感器,工作温度特性得到了改善,国外业已商品化,国内虽已研究多年,但由于工艺复杂,成本高,加之难度大而仍未进入应用阶段。
- 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1990年06期
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