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全离子注入高压低导通电阻VDMOSFET设计及研制
【摘要】 本文论述了全离于注入高压低导通电阻VDMSFET的设计思想及制造工艺。详细分析了管芯制造过程中离子注入的杂质浓度和分布曲线,以及离子注入所带来的问题及处理方法,并且介绍了几种隔离介质的实验结果。
- 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1990年05期
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【摘要】 本文论述了全离于注入高压低导通电阻VDMSFET的设计思想及制造工艺。详细分析了管芯制造过程中离子注入的杂质浓度和分布曲线,以及离子注入所带来的问题及处理方法,并且介绍了几种隔离介质的实验结果。