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硅双极晶体管的hFE温度相关性分析及其应用

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【摘要】 本文对硅双极晶体管的hFE温度相关性进行了全面的分析,指出它主要受发射区重掺杂效应支配,也与载流子不同温度下的析出率及载流子迁移率和Eg随温度变化而变化有关。导出了hFE相对变化率的表达式,并由此设计制造了一种低温度变化率的晶体管。

  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1990年02期
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