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(100)硅上硅化钽膜氧化性质的研究
【摘要】 本文综述了我们关于Tasi2/（100）Si膜氧化性质研究的若干实验结果,其中包括常压和高压氧化下的氧化规律、氧化形貌、退火条件、氧化压力等因素对氧化过程中SiO2-Tasix-Si三层结构内Si、Ta、O原子输运的影响。
- 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1990年02期
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【摘要】 本文综述了我们关于Tasi2/（100）Si膜氧化性质研究的若干实验结果,其中包括常压和高压氧化下的氧化规律、氧化形貌、退火条件、氧化压力等因素对氧化过程中SiO2-Tasix-Si三层结构内Si、Ta、O原子输运的影响。