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干氧氧化单晶硅氧化膜形态研究

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【机构】北京有色金属研究总院；北京有色金属研究总院；北京科技大学；北京科技大学日本电子公司技术顾问兼北京有色金属研究总院技术顾问；

【摘要】用扫描电子显微镜和超高压电子显微镜观察和分析了（111）单晶硅1100℃干氧氧化的不同厚度氧化膜的形态和结构。结合单晶硅氧化动力学三段理论,提出了氧化膜生长机制。电子和 X-射线衍射分析,确定氧化膜是由具有不同晶体结构的二氧化硅构成。文中还讨论了氧化膜生长时,在 Si-SiO₂界面处的层错及位错的成因。更多还原

【关键词】干氧氧化；形态研究；生长机制；扫描电子显微镜；氧化动力学；晶体结构；层错能；电子衍射分析；界面区；透射电镜；

【文献出处】稀有金属 ,Chinese Journal of Rare Metals , 编辑部邮箱 ,1989年01期

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