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稀土氧化物高T_c超导薄膜的AES分析

AES ANALYSIS OF HIGH-Tc SUPERCONDUCTING RARE-EARTH-OXIDE THIN FILMS

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【作者】 崔玉德; 王佑祥;

【Author】 Cui Yude (Lab, for Surface Physics, Academia Sinica) Wang Youxiang (Institute of Semiconductors, Academia Sinica)

【机构】 中国科学院表面物理实验室; 中国科学院半导体研究所;

【摘要】 <正> 一、前言世界很多国家都在研究制备超导材料,而且发展很快。国内有十多个单位用电子束蒸发、磁控溅射等方法获得零电阻转变温度TR=0>85K的超导薄膜,也有用分子束外延、化学气相沉积法制备的。一般超导临界转变温度TC<85K,我国制Bi-Sr-Ca-Cu-O超导薄膜的TR=0>111K,TC=125K。

  • 【文献出处】 真空科学与技术 ,Vacuum Science and Technology , 编辑部邮箱 ,1989年05期
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