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Al-Si10秒钟快速退火的接触性能研究

INVESTIGATION OF CONTACT PROPERTIES OF Al-Si WITH RAPID THERMAL ANNEALING FOR 10 SEC

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【作者】 陈存礼； 彭辉； 张兴；

【Author】 Chen Cunli Peng Hui Zhang Xing (Department of Physics, Nanjing University)

【机构】 南京大学物理系； 南京大学物理系；

【摘要】 <正> 一、引言硅器件与集成电路中广泛采用Al作为欧姆接触材料,常规的合金化工艺（例如在N2中于500℃下加热20分钟）对浅结常会引起所谓尖峰效应,导致PN结的特性变坏甚至短路。

【关键词】 尖峰效应； 热合金； 欧姆接触； 硅器件； 下加热； Al-Si10； 硅单晶； 性能比； 扩散势垒； 接触界面；
  • 【文献出处】 真空科学与技术 ,Vacuum Science and Technology , 编辑部邮箱 ,1989年01期
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