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Monte Carlo计算枧模拟—离子注入双层薄膜中的浓度分布

THE SIMULATION OF THE CONCENTRATION DISTRIBUTION OF IMPLANTED IONS IN THE BILAYER CONSTRUCTION BY MONTE CARLO COMPUTATION

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【作者】 施立群; 杨乃恒; 李梅林; 孙树滋;

【Author】 Shi Liqun Yang Naiheng Li Meilin Sun Shuzi (Beijing Laboratory of Vacuum Physics, Chinese Academy of Sciences) (Northeast University of Technology, Shenyang, People’S Republic of China)

【机构】 合肥工业大学真空教研室; 中国科学院北京真空物理实验室; 东北工学院;

【摘要】 使用Monte Carlo方法模拟350keVXe~+注入Cu/Ti双层结构,研究界面所造成的离子浓度分布的不连续性,并讨论界面位置对浓度分布的影响。在模拟600keV Bi注入Al/Ti双层结构时,当考虑有界面势存在,则其理论值与实验值符合得更好。

【Abstract】 The incontinuity of disttibution of ion concentratation is studied in this paper as using the Montc Carlo Method to simulate Cu-Ti bilayer films implanted with 350 keV Xe~+. And we discuss the distribution of ion concentration depending on the interface position. In the case of the simulation of Al-Ti bilayer films implanted with 600 keV Bi~+, the theoretical value is fairly coincides with the experimental value when the presenee of the interface potential is considered.

  • 【文献出处】 真空科学与技术 ,Vacuum Science and Technology , 编辑部邮箱 ,1989年01期
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