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宽束冷阴极离子源及其应用  
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【英文篇名】 BROAD BEAM COID CATHOD ION SOURCE AND ITS APPIICATION
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【作者】 严一心; 卢进军; 刘卫国; 刘吉祥; 王树棠;
【英文作者】 Yan Yixin Lu ginjun Liu Weiguo Liu Jixiang Wang Shutang;
【作者单位】 西安工业学院仪器工程系; 西安工业学院科研处;
【文献出处】 西安工业大学学报 , Journal of Xi'An Institute of Technology, 编辑部邮箱 1989年 04期  
期刊荣誉:ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 离子源; 辉光放电; 离子束辅助淀积; 薄膜淀积;
【英文关键词】 ion source; glow diseharge; ion-assisted-deposition; thin film deposition;
【摘要】 本文介绍一种新研制的用于离子束辅助淀积薄膜的宽束冷阴积离子源,与目前国内外普遍采用的考夫曼(Kaufman)型热阴极离子源相比,它具有寿命长,无污染,结构简单,所需供电电源少,操作方便等优点。实验结果证明,用宽束冷阴极离子源进行离子束辅助淀积所得 Zns 膜层强度超过国标规定的10倍,G|AlSIO_x|A膜层强度超过国标规定的8倍。该离子源有广泛的应用前景。
【英文摘要】 The paper introduces a newly-developed broad beam cold cathod ion source used for ion-assisted-deposition of thin films.Compared with Kaufman-type hot cathod ion source widely used at home and abroad,it has many advantages of long life,unpollution,simple construction,less power,easy operation,etc..The strength of ZnS films and G|AlSiO_x|A films deposited by ion-assisted-deposition with broad beam cold cath- od ion source are separately 10 times and 8 times higher than that stipulat- ed for by National Stand...
【更新日期】 2006-10-17
【正文快照】 芭l侣犷廿11刁 离子束辅助淀积薄膜技术自本世纪八十年代以来,受到人们的日益重视。这一~技术可以 改善薄膜的性能,得到普通热蒸发工艺无法获得的结果。而且这一技术的实现十分便利,只 需在普通镀膜机上装置宽束离子源,用离子源产生离子束轰击正在生长的薄膜即可。目前,场。各?

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