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一种优良的抗辐射高压NMOS/SOS驱动器件

A Excellent High ,Voltage Radiation Hardened NMOS/SOS Driver

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【作者】 刘忠立； 和致经； 刘荣环； 于芳；

【Author】 Liu Zhong-li. He zhi-jing, Liu Ronghuan and Yu Fang (Institute of Semiconductors, Academia Sinica)

【机构】 中国科学院半导体研究所； 中国科学院半导体研究所 北京； 北京； 北京；

【摘要】 本文描述一种优良的抗辐射高压NMOS/SOS驱动器件的原理、设计考虑、制造过程、器件参数评价以及抗辐射试验的初步结果。

【关键词】 驱动器件； NMOS/SOS； 器件参数； 导通电阻； 硅栅； 辐射试验； 击穿电压； 制造过程； 场板； 光刻胶；
  • 【文献出处】 微电子学与计算机 ,Microelectronics & Computer , 编辑部邮箱 ,1989年12期
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