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低能As2+注入与快速退火形成n+—p超浅结的研究
Low Energy As2+ Implantation and Rapid Thermal Annealing For Forming Shallow Junctions
【摘要】 本文研究了As2+注入硅的辐射损伤及退火行为。以能量为10~30keV、剂量为1×1013~5×1015cm-2的As2+注入p型〈100〉硅形成浅掺杂层,用快速退火激活注入杂质并控制其再分布。结果表明,可以获得结深为700~1500 (?)的n+—p浅结,相应的薄层电阻值为60Ω/口。
- 【文献出处】 微电子学与计算机 ,Microelectronics & Computer , 编辑部邮箱 ,1989年10期
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