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离子注入后快速退火晶格恢复的研究

A Study of Ion Implantation Damaged Lattice Rest oration of Shallow Junction During Rapid Thermal Annealing(RTA)

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【作者】 张通和； 吴瑜光； 罗晏； 李晓明；

【Author】 Zhang Tong-he, Wu Yu-guang, Luo Yan Li Xian-ming(Institute of Low Energy Nuclear Physics Beijing Normal University)

【机构】 北京师范大学低能核物理研究所； 北京师范大学低能核物理研究所；

【摘要】 80keV As+注入Si其剂量达5×1015cm-2时,用透射电子显微镜观察到,在硅中形成1000A的非晶层,在非晶层的下面分布着位错环。还研究了瞬态退火和热退火过程中非晶层的相变和缺陷的演变过程,从而得到了最佳退火条件。并用扩展电阻仪测量了砷杂质的电激活过程。

【关键词】 退火过程； 退火条件； 扩展电阻； 晶层； 透射电子显微镜； 位错环； 离子注入； 退火温度； 激活过程； 退火时间；
【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 微电子学与计算机 ,Microelectronics & Computer , 编辑部邮箱 ,1989年03期
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