| 
  中国学术期刊网络出版总库
  关闭
极性/非极性半导体异质结构  
   推荐 CAJ下载 PDF下载
【下载频次】 ★★★
【作者】 蒋维栋; 张翔九; 王迅;
【作者单位】 复旦大学表面物理实验室;
【文献出处】 物理 , Physics, 编辑部邮箱 1989年 04期  
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【摘要】 由极性半导体ＧａＡｓ，ＧａＰ 等和非极性半导体Ｇｅ，Ｓｉ等构成的异质结构，为高速集成和光电子集成技术的发展提供了新的机会，同时也为基础物理研究提出了新的课题．本文简要介绍极性／非极性半导体异质结构的制备和特性方面的一些基本问题及其在器件应用方面的发展现状．
【正文快照】 一、一个吸引人的研究方向 极性/非极性半导体异质结一般是由 IllV族化合物半导体(如GaAs,GaP等)和IV族元素半导体(Ge,St)构成的.前者具有闪锌矿型晶体结构,原子间形成的是汲性键,因而称为极性半导体;后者具有金刚石型晶体结构,原子间的键是纯共价性的,因而称为非极性半导体. 1

xxx
【相似文献】
中国期刊全文数据库
中国优秀硕士学位论文全文数据库
中国博士学位论文全文数据库
中国重要会议论文全文数据库
中国重要报纸全文数据库
中国学术期刊网络出版总库
点击下列相关研究机构和相关文献作者，可以直接查到这些机构和作者被《中国知识资源总库》收录的其它文献，使您全面了解该机构和该作者的研究动态和历史。
  
 
  CNKI系列数据库编辑出版及版权所有：中国学术期刊(光盘版)电子杂志社
中国知网技术服务及网站系统软件版权所有：清华同方知网(北京)技术有限公司
其它数据库版权所有：各数据库编辑出版单位（见各库版权信息）
京ICP证040431号    互联网出版许可证 新出网证（京）字008号