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半导体温差电材料及其致冷器

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【摘要】 用改良的布里奇曼法制备以碲化铋(Bi2Te3)为基并掺入适量中性杂质元素的室温半导体温差电材料,晶体直径为φ19—25mm,其特性具有明显的取向性,平行于晶锭轴切取电偶臂时比垂直切取具有更好的性能。优值系数p型Z达3.2×10-3K-1,n型Z达3.1×10-1K-1。文中还介绍了致冷器的工作原理、设计的基本依据和主要的计算公式,以及制作致冷器的主要工艺步骤。

  • 【文献出处】 红外技术 ,Infrared Technology , 编辑部邮箱 ,1989年05期
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