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应用气相升华法制备CdTe晶体及其性质的研究

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【作者】 严永铁； 董志武； 石卫东； 邹慧珠； 张济良； 王宝琨；

【机构】 吉林大学电子科学系； 吉林大学电子科学系；

【摘要】 本文报道了用改进了的 Piper-Polich 法制备 CdTe 晶体的方法以及对晶体完整性的观测和晶体禁带宽度与电学参数的测量结果。这些结果表明,采用这种方法制备Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料,设备简单,生长温度低,实验条件容易控制,是一种很有应用前途的方法。

【关键词】 CdTe； 晶体质量； 升华法； 禁带； Piper； 实验条件； 外延生长； 直接跃迁； 晶格结构； 电学参数；
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