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GaAs,GaP,InP,GaInAs,GaInPAs晶体表面碳污染的去除

REMOVING OF THE CARBON CONTAMINATION FROM GaAs, GaP, InP, GalnAs AND GalnPAs SURFACES

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【作者】 陶兆民； 夏长虹； 潘晓丹； 潘峡；

【Author】 Tao Zhaomin Xia Changhong Pan Xiaodan Pan Xia(Intitute of Electronics,Academia Sinica,Beijing)

【机构】 中国科学院电子学研究所； 中国科学院电子学研究所 北京； 北京； 北京；

【摘要】 本文以UV/O3法去除GaAs,GaP,InP,GaInAs,OaInPAs晶体表面碳的污染,实验给出不同的结果并给予解释。

【Abstract】 The different results of removing the carbon contamination with UV/O2 from the GaAs, GaP, InP, GalnAs and GafnPAs surfaces are given.

【关键词】 光电发射材料； UV/O3法； AES表面分析；
【Key words】 Photoemission material； UV/O2； AES surface analysis；
【基金】 中国科学院自然科学基金
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