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微波GaAs/AlGaAs高电子迁移率晶体管

GaAs/AIGaAs Microwave High Electron Mobility Transistor

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【Author】 Zhu Qi (University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu). Wang Chang-he (Hebei Semiconductor Research Institute, Shijiazhuang).

【机构】电子科技大学；河北半导体研究所成都；石家庄；

【摘要】采用国产分子束外延设备及国内外尚未报导的部分工艺,试制出具有微波特性的高电子迁移率品体管,其跨导80～135mS/mm,在4GHz下,最小噪声系数2.49dB,最大功率增益10.2dB。更多还原

【Abstract】 Utilizing the home-made molecular beam epitaxy system (MBE), and employing some novel techniques, GaAs/AlGaAs high electron mobility transistors have been made successfully. The trans-conductance is at the range of 80-135mS/mm. The minimum noise figure 2.49dB and the maximum power gain 10.2 dB at 4GHz are obtained.更多还原

【关键词】 GaAs/AlGaAs；噪声系数；电子迁移率；跨导；微波特性；寄生电容；调制掺杂；栅长；功率增益；分子束外延；

【文献出处】电子学报 ,Acta Electronica Sinica , 编辑部邮箱 ,1989年01期

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