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高Tc SIS器件I—V特性的研究

I-V CHARACTERISTICS RESEARCH OF HIGH Tc SIS DEVICES

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【作者】胡渝；冯稷；

【Author】 Hu Yu Feng Ji (Institute of Applied Physics)

【摘要】本文以超导BCS理论为基础,利用二次量子化方法,并借助于格林函数和松原函数,得到了高Tc SIS器件在有限温度下的I-V特性及其数值计算结果。更多还原

【Abstract】 In this paper, based on BCS theory of superconductivity, Ⅰ-Ⅴ characteristies and its numerical calculation results of high Tc SIS devices operated in limited temperature are obtained by using methods of second quantization, Green’s function and Matrubara’s function.更多还原

【关键词】超导；高Tc； SIS器件；有限温度； I-V特性；
【Key words】 superconductivity； high Tc； SIS devices； in limited temperature； Ⅰ-Ⅴ characteristics；

【文献出处】电子科技大学学报 ,Journal of University of Electronic Science and Technology of China , 编辑部邮箱 ,1989年06期

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