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镓铟砷磷 磷化铟掩埋新月形激光器
InGaAsP/InP BURIED CRESCENT LASER DIODE
【摘要】 本文研究了一种新型的1.3μm InGaAsP/InP掩埋新月形(BC)激光器。采用两次液相外延(LPE)技术形成掩埋双異质结构(BH),p-n-p-n电流阻挡结构和窄有源区。该器件在室温连续工作条件下的阀值电流低达15mA、基横模、单面输出功率大于12mW。
【Abstract】 This paper describes an InGaAsP/InP laser dicde emitting at 1.3μm wavelength with a buried crescent (BC) shaped active region.The buried heterostructure and p-n-p-n current confinement structure at both sides of the active region and a narrower active region are formed by a two-step liquid-phase epitaxy technique.A threshold current as low as 15 mA, fundamental transverse mode operation and output power more than 12 mW/facet in CW operation at room temperature areachreved.
【关键词】 激光器；
掩埋新月形；
異质结构；
液相外延；
阈值电流；
基横模；
【Key words】 laser； buried crescent； heterostructure； liquid-phase epitaxy； threshold current； furtdamental transverse mode；
【Key words】 laser； buried crescent； heterostructure； liquid-phase epitaxy； threshold current； furtdamental transverse mode；
【基金】 国家自然科学基金
- 【文献出处】 电子科技大学学报 ,Journal of University of Electronic Science and Technology of China , 编辑部邮箱 ,1989年01期
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