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B~+和BF_2~+注入预非晶硅所形成浅结的比较  
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【英文篇名】 COMPARISON OF SHALLOW JUNCTIONS FORMED BY B~+ AND BF_2~+ ION IMPLANTATION IN PREAMORPHIZED SILICON
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【作者】 张朝明; 卢志恒; 张荟星; 李素杰; 罗晏;
【英文作者】 Zhang Chaoming Lu Zhiheng Zhang Huixing Li Sujie Luo Yan (Institute of Low Energy Nuclear Physics);
【作者单位】 北京师范大学低能核物理研究所;
【文献出处】 北京师范大学学报(自然科学版) , Journal of Beijing Normal University(Natural Science), 编辑部邮箱 1989年 01期  
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【中文关键词】 浅结; 离子注入; 预非晶;
【英文关键词】 shallow junction; ionimplantation; preamorphization.;
【摘要】 剂量为1×10~(15)cm~(-2)的10keV B~+和45keV BF_2~+分别注入(100)n型预非晶硅中,随后在温度为1000和1100℃,时间为2,5和10s的条件下分别进行快速热退火.使用扩展电阻仪,对B~+和BF_2~+注入所形成浅结的结深及载流子的电激活率进行了测量、对比;通过横断面透射电镜照片,对退火后样品的剩余损伤进行了分析.
【英文摘要】 Boron of 10keV and boron-fluoride of 45keV are implanted at the dose of 1× 10~(15)cm~(-2)into self-preamorphized (100) n-typa silicon. In both boron dopants are im- planted with equivalent energy. Samples are annealed with rapid thermal annealing (RTA) subsequently at temperature of 1000℃ for 2, 5 and 10 seconds. The junction depth and carrier electrical activity of boron and boron-fluoride doped samples are compared by means of spreading resistance profile(SRP). The residual damage in samples is investigat...
【基金】 国家自然科学基金
【更新日期】 2006-10-17
【正文快照】 近年来,在杂质注入预非晶硅并与快速热退火工艺相结合的领域内,许多人做了大量的工作.但对于低能B+注人的工作报道得并不多.本文对45kev BF亨和10kevB十注人非晶硅形成的浅结做一比较.1实验 在B+和BF亨注人以前,在室温下对(100)n型硅进行能量为10okeV,剂量为sxro’scm一2的si+?

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