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InP δ掺杂的输运特性

Transport Properties in δ-Doping of InP

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【Author】 Cheng Wenchao/Institute of Semiconductors, Academia SinicaA. Zrenner/Physik-Department E 16, Techniche Universit(?)t M(?)nchen, D-8046 Garching, FRGYe Qiuyi/Physik-Department E 16, Techniche Universit(?)t M(?)nchen, D-8046 Garching, FRGF. Koch/Physik-Department E 16, Techniche Universit(?)t M(?)nchen, D-8046 Garching, FRG

【机构】中国科学院半导体研究所；联邦德国慕尼黑工业大学物理系E16；联邦德国慕尼黑工业大学物理系E16 北京；

【摘要】测量了用MOCVD技术制造的InP δ掺杂样品的磁输运特性,量子化Hall效应和高电场下的热电子效应.得到了该样品的载流子分布,子能带结构,杂质传播宽度和电子迁移率等基本物理参数,观察到填充因子v=2的量子Hall平台和负微分电阻现象,建立和证实了δ掺杂样品的热电子传输模型.更多还原

【Abstract】 The magnetotransport properties, quantum Hall effect and hot electron effect in σ-dopingIaP samples prepared by MOCVD technique are studied. The basic physical parameters: carrierdistribution, structure of subband, donor ion spreading and electron mobility have been estima-ted. The quantum Hall plateau at v=2 and negative differential resistance have been observed.A new hot electron transport model of σ-doping samples has been presented, which is identifi-ed by magnetotransport experiments.更多还原

【关键词】 δ掺杂；二维特性； Hall效应；热电子传输；
【Key words】 δ-doping； Two-Dimensional charateristics； Hall effect； Hot electron transport；

【文献出处】半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1989年12期

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