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LPCVD淀积速率分布的解析表达式

Analytical Expression of Deposition Rate Distribution in LPCVD

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【作者】 王永发张世理王季陶

【Author】 Wang Yongfa/Materials Science Department, Fudan University, ShanghaiZhang Shili/Materials Science Department, Fudan University, ShanghaiWang Jitao/Materials Science Department, Fudan University, Shanghai

【机构】 复旦大学材料系复旦大学材料系 上海上海上海

【摘要】 通过引入轴向反应源转化率η(x)和径向反应源转化率η_f(ρ),分别导得了淀积速率在卧式反应器中沿轴向及径向分布的解析表达式.从中可以清楚地看出反应器几何参数以及工艺参数对淀积速率分布的影响.将其用于对多晶硅淀积的模拟,与实验结果相符很好.

【Abstract】 Based on introducing the axial reactant conversion percentage η(x) and the radial reac-tant conversion percentages ηk(p)the analytical expressions of film thickness distribution inaxial and radial directions of a horizontal LPCVD reactor are derived.The influence of tech-nical parameters and geometrical parameters of reactor on the distribution of deposition ratecan be seen clearly.The theoretical results of Poly-silicon deposition coincide well with experi-mental ones.

【关键词】 低压化学气相淀积模拟
【Key words】 SimulationLPCVD
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1989年08期
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