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注入氧形成的SOI结构中氧分布的模拟

Simulation of Oxygen Distribution in the Oxygen Implanted SOI Structure

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【作者】 阮刚; 徐晨曦; 俞强;

【Author】 Ruan Gang/Microelectronics Institute, Fudan University, ShanghaiXu Chenxi/Microelectronics Institute, Fudan University, ShanghaiYu Qiang/Microelectronics Institute, Fudan University, Shanghai

【机构】 复旦大学微电子学研究所; 复旦大学微电子学研究所 上海; 上海; 上海;

【摘要】 我们提出了一个用于模拟SIMOX注入分布的经验公式,用此公式对某些氧注入分布进行了模拟,其结果与有关理论计算及实验值相比符合较好.我们的经验公式既有一定精度又形式简单,非常适合于作为VLSI全工艺模拟器中的一部份.

【Abstract】 An emperieal formula to simulate the oxygen implanted distribution for SIMOX techniquehave been proposed.Using this formula,the simulation results are in good agreement with so-me experimental and former theoretical results. Our formula is both simple and accurate,which is suitable for using as a part of the VLSI complete process simulator.

【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1989年07期
  • 【被引频次】2
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