节点文献

电子陷阱的雪崩注入测量方法

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 蔡跃明； 吕世骥；

【机构】 南京通信工程学院理化室； 东南大学微电子中心；

【摘要】 本文从俘获动力学出发,推导了荷电陷阱引起的平带电压变化量随时间变化的一般形式,并对SiO2膜中的电子陷阱密度、能级和俘获截面进行了测量.结果表明测量陷阱密度时不能忽略激发因素的影响.

【关键词】 电子陷阱； 平带电压； 俘获截面； 激发因素； 测量方法； 介质膜； 电子激发； 荷电； 时间变化； 电子浓度；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1989年06期
  • 【下载频次】25
知网节下载
节点文献中： 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络
二级参考文献(0)
参考文献(0)
共引文献(0)
节点文献
同被引文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)