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两步扩散发射区功率晶体管芯片上温度分布及抗二次击穿能力的研究

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【作者】 刘振茂； 理峰； 张国威； 刘晓为；

【机构】 哈尔滨工业大学； 哈尔滨工业大学；

【摘要】 试验研究了采用两步扩散发射区结构的功率晶体管,两步扩散发射区结构在提高芯片上温度分布均匀性和器件抗二次击穿能力方面具有较好的作用.两步扩散发射区器件管芯上的温度分布较一步扩散发射区更为均匀,二次击穿耐量可提高80%以上.

【关键词】 功率晶体管； 发射区； 温度分布； 管芯； 试验研究； 分布均匀性； 安全工作区； 结温； 表面浓度； 反偏；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1989年06期
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