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硅的高压氧化

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【作者】 张爱珍

【机构】 北京半导体器件研究所

【摘要】 本文介绍了我们自行设计和制作的不锈钢高压室式的微处理机自动控制的高压氧化炉的外形、结构、参数和氧化膜的性质,并从氧化膜的厚度对时间的关系曲线讨论了高压氧化所遵循的规律.

  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1989年03期
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