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电荷陷阱对器件稳定性的影响和监测电荷陷阱密度方法

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【作者】 顾瑛； 张德胜； 张民强；

【机构】 西安电子科技大学； 西安电子科技大学；

【摘要】 本文论述了电荷陷阱对器件稳定性的影响;认为在器件制造过程中监测电荷陷阱密度是很重要的.本文介绍了雪崩注入法测量电荷陷阱密度的方法,并给出了测量结果.

【关键词】 电荷分布； 注入法； 载流子产生； 载流子复合； 平带电压； 电子空穴； 散射作用； 击穿电压； 电中性； 自由载流子；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1989年02期
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