【摘要】 <正> 一、引言应用液态金属离子源(LMIS)的亚微米聚焦离子束(FIB)技术是近年来国际上迅速发展起来的一项尖端技术,并在微细加工与微分析研究上起了重要作用。随着集成电路向更高的集成度和更高的速度发展,加工的特征线宽已向亚微米领域发展。由于普通光学曝光技术受到波长的限制,电子束、离子束和X光的曝光技术发展起来。与电子束相比,离子束曝光的邻近效应可以忽略,因此可获得更细的线条。而且感光胶对离子更敏感,有利于提高生产率。特别是FIB可以在半导体表面进行无掩模注入与刻蚀,这是电子束无法做到的。利用这些技术可以大大减少集成电路的制造工序,并可能产生新的器件,导致微电子技术的革命。在微分析领域,离子可以提供比电子更为多样的分析手段,获得更为丰富的信息,日前,FIB在微分析技术上已成为与电子束相瓦补充的、不可缺少的一部分。二、物理设计1.计算程序用于本装置物理设计的程序主要包括三部分:场的计算、轨迹跟踪和象差计算。场的计算采用面电荷密度法。此法与有限差分法、有限元法相比,具有占内存更多还原

【Abstract】 A focused-ion beam apparatus with submicron beam spot-size has been designed and tested for VLSI microfabrication technology. The system consists of a LMIS, an asymmetric septier lens and annoctapole deflector. The optical column was calculated by charge density method and a 0.25nA Ga ion beam current with 0.5～0.9μm beam spot can be obtained under 12kV acceleration voltage and 10～20eV beam enery spread. The beam spot size was measured by a combined shape-edge and Faraday cup. Experiments have been made and a spot diameter of 0.55μm was achieved. The theoretical calculations have been confirmed by experimental results.更多还原