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超晶格材料的俄歇电子能谱分析

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【作者】 邵力为； 刘洁美； 郭耀华；

【机构】 南京工学院； 南京工学院；

【摘要】 本文是以Cu/Nb系金属超晶格材料和Si/SiN系半导体超晶格材料作为俄歇电子能谱进行超晶格材料多层结构分析的初次入门,并获得了两种材料深度剖析结果,且观察到Si/SiN半导体超晶格材料的二次电子吸收电流像。

【关键词】 超晶格； 俄歇电子； 吸收电流； 多层结构； 分子束外延技术； 半导体结构； 谱分析； 实验样品； 二次电子； 原子输运；
  • 【文献出处】 真空电子技术 ,Vacuum Electronics , 编辑部邮箱 ,1988年02期
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