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a-Si:H和a-SiN_x:H薄膜中的缺陷以及载流子的非辐射复合

THE DEFECTS AND THE NONRADIATIVE RECOMBINATION OF PHOTOGENERATED CARRIERS IN a-Si:H AND a-SiN_x:H

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【作者】 王志超； 滕敏康； 张淑仪； 葛网大； 邱树业；

【Author】 WANG ZHI-CHAO TENG MIN-KANG ZHANG SHU-YI(Department of Physics, Institute of Acoustics, Nanjing University)GF. WANG-DA(The 17th Radio Components Factory of Nanjing)QIU SHU-YE(Department of Physics, Shantou University)

【机构】 南京大学物理系声学研究所； 南京无线电元件十七厂； 汕头大学物理系；

【摘要】 应用红外光谱仪、分光光度计、光声谱仪和正电子湮没寿命谱仪,从不同的角度,研究a-Si:H和a-SiN_x:H薄膜中的成分、缺陷以及光生载流子的非辐射复合。

【Abstract】 The defects and the nonradiative recombination of photogenerated carriers in a-Si:H and a-SiNx:H films are studied by using infrared spectrometer, spectrophotometer, photoacoustic Spectrometer and positron annihilation life-time spectrometer from various respects.

【关键词】 非辐射复合； a-Si:H； a-SiN_x:H； 缺陷密度； 光声信号； 红外光谱仪； 悬挂键； 电子波函数； 发光强度； 光声谱；
【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 物理学报 ,Acta Physica Sinica , 编辑部邮箱 ,1988年08期
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