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GaAs晶片抛光损伤层的测量

The Study of Polishing Damage in GaAs Crystal Wafers

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【作者】 葛中久； 曹望和； 袁佑荣；

【Author】 Ge Zhongjou;Cao Wanghe;Yuan Yourong(Changchun Institute of Physics,Academia Sinica)

【机构】 中国科学院长春物理研究所； 中国科学院长春物理研究所；

【摘要】 <正> 本文首次定量测量了某些 GaAs 晶片的拋光损伤层厚度,方法是:用可控化学腐蚀技术在均匀的 GaAs 抛光晶片上制成一系列台阶,用台阶测试仪测量出各台阶的腐蚀深度,使用X射线双晶形貌测角仪测量各台阶的(400)反射的摆动曲线半峰宽。

【关键词】 半峰宽； 光损伤； 腐蚀深度； 晶形； 测角仪； 化学腐蚀； 用可； 实验观察； 手工抛光； 机械抛光；
  • 【文献出处】 人工晶体 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,1988年Z1期
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