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LEC法生长掺In的半绝缘GaAs晶体

In-Doped Semi-Insulating GaAs Crystals Grown by LEC Method

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【作者】 莫培根； 吴巨； 范向群； 周炎德；

【Author】 Mo Peigen;Wu Ju;Fan Xiangqun;Zhou Yande(shanghai Institute of Metallurgy,Academia Sinica)

【机构】 中国科学院上海冶金研究所； 中国科学院上海冶金研究所；

【摘要】 <正> 近年,在 LEC 法生长半绝缘 GaAs 晶体的工艺中,通过掺入等电子元素 In 来降低位错密度,取得良好的结果。掺 In 的晶体,除位错密度降低外,它的电学性质、半绝缘的补偿机理没有发生变化,因而在研究 CaAs 集成电路衬底材料中,这工艺受到很大的重视。

【关键词】 半绝缘； In； LEC； 位错密度； 子元素； 电学性质； 衬底材料； 掺入量； 点缺陷； 离子注入；
  • 【文献出处】 人工晶体 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,1988年Z1期
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