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锗酸铋(BGO)晶体中缺陷分布的热释光研究

Thermoluminescence Study of Defect Distribution in BGO Crystal

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【Author】 Hu Yaotao;Zhung Weizhuo;Shen Dingzhong(Shanghai Institute of Ceramics,Academia Sinica)

【摘要】 <正> 晶体中由于缺陷的存在而形成缺陷能级—施主受主能级。当晶体受射线辐照时,电子发生受激跃迁,形成自由电子(空穴)。部分自由电子(空穴)可被缺陷俘获而形成弱束缚态,这些弱束缚的电子(空穴)受热时被释放,并复合发光,这就是热释光。因而热释光的强度在一定程度上反映了晶体中缺陷的浓度。更多还原

【关键词】热释光； BGO；锗酸铋；复合发光；束缚态；受激跃迁；受主能级；提拉法生长；辐照剂量；垂直切片；

【文献出处】人工晶体 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,1988年Z1期

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