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(Bi12SiO20)单晶中的位错组态与分布的研究

Investigation on Configuration and Distribution of Dislocations in Bi12SiO20Crystal

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【作者】 徐学武； 廖晶莹； 何崇藩；

【Author】 Xu Xuewu;Liao Jingying;He Cohngfan(Shanghai Institute of Ceramics,Academica Sinica)

【机构】 中国科学院上海硅酸盐研究所； 中国科学院上海硅酸盐研究所；

【摘要】 <正> 本文对提拉法和坩埚下降法生长的 Bi12SiO20单晶应用反射光双折射貌相法及化学浸蚀法观察显示了晶体中的位错及亚晶界。实验结果表明:采用反射偏光显微镜可以完全抵消晶体的自然旋光性并获得了良好的位错及亚晶界双折射象。以氢氧化钠水溶液或者硝酸、氢氟

【关键词】 坩埚下降法； Bi； SiO； 提拉法； 化学浸蚀法； 亚晶界； 氢氧化钠水溶液； 生长条纹； 偏光显微镜； 反射光；
  • 【文献出处】 人工晶体 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,1988年Z1期
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