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常压MOCVD法生长ZnSe/ZnSxSe1-X应变层超晶格

Growth of ZnSe/ZnSxSe1-xSLS by MOCVD at Atmospheric Pressure

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【作者】 范广涵； 关郑平； 范希武； 宋世惠； 张继英； 李梅；

【Author】 Fan Guanghan;Guan Zhengping;Fan Xiwu;Song Shihui;Zhang Jiying;Li Mei(Changchun Institute of physics,Academia Sinica)

【机构】 中国科学院长春物理研究所； 中国科学院长春物理研究所；

【摘要】 <正> 超晶格结构是近年来半导体学科的最重大的进展,也为晶体生长学科提出了新的研究领域和课题。MOCVD 法和 MBE 法是制备超晶格的最有力的手段。由于超晶格的激子效应,禁带宽、激子束缚能高的 ZnSe 系超晶格结构为实现兰色受激发射器件和可见短波长激子型光学双稳器件提供了有希望的途径。

【关键词】 ZnSe/ZnS_xSe； 应变层； MOCVD； 超晶格结构； 激子； 晶体生长； 受激发射； 双稳； 兰色； 子谱；
  • 【文献出处】 人工晶体 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,1988年Z1期
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