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常压MOCVD法在透明衬底CaF2上生长高质量ZnSe单晶薄膜

Growth of High-quality ZnSe Single Crystal Epilayers on Transparent Substrate CaF2 by MOCVD at Atomspheric Pressure

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【作者】 关郑平； 范广涵； 范希武； 宋世惠； 葛中久； 李梅；

【Author】 Guan Zhengping;Fan Guanghan;Fan Xiwu;Song Shihui;Ge Zhongjiu;Li Mei(Changchun Institute of Physics,Academia Sinica)

【机构】 中国科学院长春物理研究所； 中国科学院长春物理研究所；

【摘要】 <正> ZnSe 是直接带跃迁型宽禁带化合物半导体,具有较大的电光常数和光学非线性特性,但是在制备光双稳器件腐蚀窗口时,很难找到象 Ⅲ-Ⅴ 族材料那样有选择的腐蚀液。因此寻找合适的透明衬底是解决透射光调制器件的最直接有效的方法。

【关键词】 ZnSe； MOCVD； CaF2； 化合物半导体； 外延层； 禁带； 光电特性； 形貌结构； 光学非线性； 双稳；
  • 【文献出处】 人工晶体 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,1988年Z1期
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