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硅酸铋单晶的生长与在位相共轭中的应用

Growth of High Quality Bi12SiO20Single Crystal and Its Application in Phase Conjugation

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【作者】 徐玉恒； 龙新宾； 张洪喜； 刘松海；

【Author】 Xu Yuheng;Long Xinbin;Zhang Hongxi(Applied Chemistry Department,HIT)Liu Songhai(NO.8358 Institute,MSI)

【机构】 哈尔滨工业大学应用化学系； 航天部8358研究所；

【摘要】 <正> 硅酸铋（BSO）单晶,属立方晶系,点群23,熔点890℃,λ=6328（?）的折射率为2.54。没有自然双折射。BSO 具有多种优越性能,是用途非常广泛一种晶体。生长 BSO 单晶和掺杂 BSO 单晶时生长 Bi2O3的纯度为99.999%,SiO2的纯度99.999%,掺杂 Sb2O3、Cu2O 的纯度99.99%。采用以下方法消除单晶中的云层。（1）采用慢拉速（3mm/h）,慢扩肩(扩肩角小于90°生长 BSO 单晶。（2）采用特殊温场,固液界面处的温梯较大（30℃/Cm～40℃/cm）,在液面上温度下降幅度较

【关键词】 拉速； 固液界面； 温场； 肩角； 立方晶系； 点群； 硅碳棒； 籽晶； 中心线； 衍射效率；
  • 【文献出处】 人工晶体 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,1988年Z1期
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