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压电用钽酸锂单晶体生长的研究

A Study on the Crystal Growth of Piezoelectric Lithium Tantalate

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【作者】 余金樑； 刘胜利； 冯玲英； 张国新； 山国祥； 孙金梅；

【Author】 Yu Jinliang;Liu Shengli;Fen Lingying;Zhang Guoxin;Shan Guoxiang;Sun Jinmei(Shanghai Institute of Ceramics,Academia Sinica)

【机构】 中国科学院上海硅酸盐研究所； 中国科学院上海硅酸盐研究所；

【摘要】 <正> 钽酸锂晶体具有延迟温度系数小、机电耦合系数大、体波抑制深等特点,是制造宽频带、高稳定、深抑制的滤波器的理想材料。本工作对压电用钽酸锂单晶体生长的原料制备、生长工艺、晶体退火、晶体极化进行了系统深入的研究,并取得了满意的结果。

【关键词】 钽酸锂； 机电耦合系数； 温度系数； 生长工艺； 体波； 消除应力； 处理条件；
  • 【文献出处】 人工晶体 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,1988年Z1期
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